News Leser

Entwicklung Condition Monitoring Sensor

Condition Monitoring Sensor

Entwicklung Condition Monitoring Sensor: Vorläufiges Datenblatt
für ein Kundenprojekt in Israel für langsam drehende Mühlen. Die Messaufgabe bestand darin den Vergleich eines ICP Sensors zum piezoresistiven MEMS Chip im niederfrequenten Bereich aufzuzeigen. Für tieffrequente Anregungen (~0 – 3 Hz). Und selbstverständlich gleichzeitig mit einem möglichst großen Frequenzband.

Das MEMS Chip war durch die Möglichkeit DC zu messen eindeutig im Vorteil.


Anforderungen

Sensitivity 80 mV/g
Measurement Range ±25 g
Frequency Range 0 - 1000 Hz
Broadband Resolution 0,5 mg rms
Temperature Range -55 - 125 °C

Zurück